Pengaruh variasi daya RF sputtering pada pelapisan blocking layer TiO2 terhadap performa DSSC / ALFIATUL MA\'ARIFAH</p> - Repositori Universitas Negeri Malang

Pengaruh variasi daya RF sputtering pada pelapisan blocking layer TiO2 terhadap performa DSSC / ALFIATUL MA\'ARIFAH</p>

Ma'arifah, Alfiatul (2024) Pengaruh variasi daya RF sputtering pada pelapisan blocking layer TiO2 terhadap performa DSSC / ALFIATUL MA\'ARIFAH</p>. Diploma thesis, Universitas Negeri Malang.

Full text not available from this repository.

Abstract

Pada penelitian ini telah dilakukan optimasi pelapisan blocking layer (BL) TiO2 menggunakan RF sputtering untuk meningkatkan performa DSSC. Blocking layer TiO2 dibuat dengan variasi daya sputtering (0 140 dan 180 W). Berdasarkan hasil karakterisasi XRD dan SEM menunjukkan semakin meningkat daya sputtering diperoleh ukuran kristal semakin kecil sehingga meningkatkan permukaan aktif. Hasil UV-Vis menunjukkan bahwa peningkatan daya sputtering dapat menurunkan band gap dari 3 29 eV menjadi 3 27 eV. Pada penelitian ini diperoleh peningkatan efisiensi DSSC dari 3 23% menjadi 7 71%. Peningkatan efisiensi ini menunjukkan bahwa BL TiO2 sputtering dapat mengurangi rekombinasi yang ditunjukkan dengan peningkatan lifetime elektron. Hal tersebut diperkuat dengan hasil EIS yang menujukkan penggunaan blocking layer TiO2 sputtering meningkatkan lifetime elektron dari 2 02 ms menjadi 12 8 ms.

Item Type: Thesis (Diploma)
Divisions: Fakultas Matematika dan IPA (FMIPA) > Departemen Fisika (FIS) > S1 Fisika
Depositing User: library UM
Date Deposited: 15 Aug 2024 04:29
Last Modified: 09 Sep 2024 03:00
URI: http://repository.um.ac.id/id/eprint/394992

Actions (login required)

View Item View Item