Quasi Z-source inverter menggunakan active switched impedance bertingkat / Rahmatullah Aji Prabowo

Prabowo, Rahmatullah Aji (2020) Quasi Z-source inverter menggunakan active switched impedance bertingkat / Rahmatullah Aji Prabowo. Diploma thesis, Universitas Negeri Malang.

Full text not available from this repository.

Abstract

RINGKASAN Prabowo, Rahmatullah Aji. 2019. Quasi Z-Source Inverter Menggunakan Active Switched Impedance Bertingkat. Skripsi, Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Negeri Malang. Pembimbing: (I) Arif Nur Afandi, S.T., M.T., Ph.D. (II) Irham Fadlika, S.T., M.T. Kata Kunci: Z-Source Inverter, EBASZ-qZSI, Boost Factor, Voltage Gain, Riak Arus Induktor, Stress Tegangan Kapasitor, Stress Tegangan Dioda. Quasi Z-Source Inverter Menggunakan Active Switched Impedance bertingkat (EBASZ-qZSI) merupakan sebuah converter DC-AC yang terdiri dari beberapa bagian. Secara berurutan, bagian dari topologi Quasi Z-Source Inverter Menggunakan Active Switched Impedance bertingkat (EBASZ-qZSI) terdiri dari sebuah sumber tegangan DC, rangkaian impedansi, dan rangkaian inverter. Sumber tegangan DC yang digunakan pada topologi Quasi Z-Source Inverter Menggunakan Active Switched Impedance bertingkat (EBASZ-qZSI) dapat berupa sebuah baterai, rectifier maupun sumber tegangan DC lainnya. Rangkaian impedansi pada topologi ini, terdiri dari empat buah kapasitor, tiga buah induktor, lima buah dioda dan sebuah saklar semikonduktor. Pada bagian inverter topologi ini, digunakan enam buah saklar semikonduktor. Didalam analisis dari topologi ini sendiri, seluruh komponen diasumsikan dalam kondisi ideal dimana tiap kapasitor memiliki nilai kapasitansi yang sama, begitu pula pada tiap induktor yang diasumsikan memiliki nilai induktansi yang serupa. Topologi Quasi Z-Source Inverter Menggunakan Active Switched Impedance (EBASZ-qZSI) memiliki dua kondisi pensaklaran yaitu kondisi shoot through dan non-shoot through. Dioda yang berada didalam rangakaian impedansi akan berkonduksi sesuai dengan siklus shoot through dan non-shoot through. Dari hasil analisis yang diperoleh diketahui bahwa nilai boost factor dan voltage gain dari topologi ini memiliki nilai yang tinggi dengan menggunakan duty cycle yang lebih kecil. Selain itu, topologi ini juga menjanjikan nilai riak arus inductor yang lebih kecil dan nilai stress tegangan pada inductor dan kapasitor yang lebih kecil. Hal ini dibuktikan dengan membandingkan hasil analisis dengan hasil simulasi dari topologi ini .

Item Type: Thesis (Diploma)
Subjects: ?? ??
Divisions: Fakultas Teknik (FT) > Jurusan Teknik Elektro (TE) > S1 Teknik Elektro
Depositing User: Users 2 not found.
Date Deposited: 14 Jan 2020 04:29
Last Modified: 09 Sep 2020 03:00
URI: http://repository.um.ac.id/id/eprint/98939

Actions (login required)

View Item View Item