Dwi Suryanto, Muhammad Rafli (2022) Penerapan current mirror berbasis floating gate metal oxide semiconductor field effect transistor untuk menurunkan konsumsi daya pada active device / Muhammad Rafli Dwi Suryanto</p>. Diploma thesis, Universitas Negeri Malang.
Full text not available from this repository.Abstract
ABSTRAK Suryanto Muhammad Rafli Dwi. 2022. Penerapan Current Mirror Berbasis Floating Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Untuk Menurunkan Konsumsi Daya Pada Active Device. Skripsi Departemen Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Negeri Malang. Pembimbing (I) Sujito S.T. M.T. Ph.D. (II) Ilham Ari Elbaith Zaeni S.T. M.T. Ph.D. Kata Kunci Konsumsi Daya MOSFET Floating Gate Current Mirror Active Device Konsumsi daya sirkuit terpadu adalah salah satu pertimbangan paling bermasalah yang mempengaruhi desain chip berkinerja tinggi dan perangkat portabel. Studi tentang metodologi desain hemat daya sekarang juga harus mencakup mata pelajaran seperti sistem pada chip perangkat lunak tertanam dan masa depan mikroelektronika. Desain elektronik daya rendah mencakup semua aspek utama desain IC berdaya rendah dalam teknologi submikron dalam dan membahas topik yang muncul terkait dengan desain masa depan. Desain daya rendah menjalankan dengan pengkondisian perangkat untuk bekerja pada tegangan rendah dan efektivitas saat ini dan konsumsi energi yang lebih efisien untuk merampingkan kekuasaan dalam perangkat maka bisa menahan selama mungkin dan tidak membutuhkan waktu pengisian terus menerus. Pada pembahasan ini akan dibahas bagaimana desain MOSFET menggunakan teknik Floating gate dengan teknologi 45nm yang di harapkan dapat menurunkan konsumsi daya pada Active device. Tidak seperti teknik lainnya Floating gate memiliki kopling kapasitif untuk mengontrol tegangan pada Floating gate menyediakan cara optimal untuk menyetel tegangan ambang MOSFET dengan menerapkan tegangan bias yang sesuai. Pengujian dilakukan menggunakan Cadence Virtuoso design Environment menggunakan teknologi 45nm. Hasilnya pengujian mengalami penurunan konsumsi daya pada Active Device hingga 56.6%. Rangkaian juga menghasilkan keluaran frekuensi hingga 4 GHz juga menurunkan kebutuhan tegangan suplai sehingga cocok untuk Low Voltage-Low Power Application
| Item Type: | Thesis (Diploma) |
|---|---|
| Subjects: | ?? ?? |
| Divisions: | Fakultas Teknik (FT) > Departemen Teknik Elektro (TE) > S1 Teknik Elektro |
| Depositing User: | library UM |
| Date Deposited: | 31 Mar 2022 04:29 |
| Last Modified: | 09 Sep 2022 03:00 |
| URI: | http://repository.um.ac.id/id/eprint/291723 |
Actions (login required)
 |
View Item |