Yuwita, Pelangi Eka (2013) Fabrikasi film tipis senyawa delafosit CuAl1-xCrxO2 melalui metode spin coating serta karakterisasi struktur kristal dan dielektrisitasnya / Pelangi Eka Yuwita. Diploma thesis, Universitas Negeri Malang.
Full text not available from this repository.Abstract
Kata Kunci Delafosit CuAl1-xCrxO 2 Metode Spin Coating Konstanta Dielektrik Struktur Kristal Tembaga berbasis delafosit film oksida transparan tipis semikonduktor baru-baru ini mendapatkan perhatian luar biasa di bidang teknologi optoelektronik setelah penemuan tipe-p konduktivitas dalam film tipis transparan oksida tembaga aluminium (CuAlO2). Dalamfilm tipis dari delafossite CuAlO2tipe-pmemiliki konduktivitas dantransisi optik tinggi.Potensi aplikasinya antara lain sebagai semikonduktor tipe-p dan Tranparent Conductive Oxides (TCO) yang telah diaplikasikan sebagai diode dan sensor. Dalam bentuk film tipis TCO menunjukkan peran yang sangat penting dalam sejumlah alat optoelektronik film tipis seperti layar panel datar layar sentuh sel surya dan sebagai komponen pembuatan Liquid Crystal Display (LCD). Pada penelitian ini yang diteliti adalah senyawa delafosit CuAlO2 yang didoping dengan Cr3 dengan mencampurkan Cu(NO3)2 3H2O Al(NO3)3.9 H2O dan Cr(NO3)3.9H2Odigunakan sebagai bahan prekursoruntuk sintesis CuAl1-xCrxO2. Metode yang digunakan adalah metode sol gel dengan variasi konsentrasi x 0 0 03 0 04 dan 0 05. Dari sol yang dihasilkan proses selanjutnya menjadi gel. Kemudian dilapiskan pada substrat Nikel dan dilakukan spin coating. Karakterisasi struktur kristal menggunakan XRD dan SEM EDAX dan konstanta dielektriknya menggunakan LCR meter. Pembentukan fasa dan struktur kristal dianalisis menggunakan program Cellref dan High Score Plus . Hasil penelitian menunjukkan bahwa film delafosit CuAl1-xCrxO2berhasil disintesis. Pencocokan dengan model menunjukkan bahwa senyawa delafosit CuAl1-xCrxO2 dengan parameter kisi a b berkisar antara 2 8603 sampai2 8675 dan nilai parameter kisi c berkisar antara 16 9576 sampai17 0763 . Variasi doping yang memilki jari-jari lebih besar dari induknya berpengaruh pada parameter kisi kristal. Parameter kisi film delafosit yang dihasilkan meningkat dengan peningkatan doping Cr3 yang diberikan. Peningkatan parameter kisi menyebabkan volume sel kristal semakin besar. Dengan peningkatan volume kristal menyebabkan konstanta dielektrik menurun.
| Item Type: | Thesis (Diploma) |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics |
| Divisions: | Fakultas Matematika dan IPA (FMIPA) > Departemen Fisika (FIS) > S1 Fisika |
| Depositing User: | library UM |
| Date Deposited: | 29 May 2013 04:29 |
| Last Modified: | 09 Sep 2013 03:00 |
| URI: | http://repository.um.ac.id/id/eprint/20593 |
Actions (login required)
 |
View Item |